压阻效应是指当半导体材料受到外部应力作用时，其内部载流子的迁移率发生变化，从而导致材料的电阻率发生相应变化的现象。这一效应最初由C.S.史密斯在1954年对硅和锗进行电阻率与应力变化特性测试时发现。压阻效应不仅存在于硅和锗，其他半导体材料如锗、砷化镓等也表现出压阻效应，但各材料的压阻系数不同，即对应不同应力方向电阻率变化的敏感度不同。
压阻效应在工程中有广泛的应用，如制作压力传感器和加速度传感器等，能够将力学量转换成电信号，用于测量和监控各种物理量，如压力、应力、应变、速度和加速度等。这些传感器在航空、化工、航海、动力和医疗等多个领域都有重要应用