磁阻效应是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。这一现象最初由威廉·汤姆森（后来成为开尔文勋爵）于1856年发现，但直到后来才被广泛研究。磁阻效应的物理原理是，当载流子在磁场中受到洛伦兹力作用时，他们的运动轨迹会发生偏转。这种偏转导致沿外加电场方向运动的载流子数减少，从而使电阻增加。磁阻效应可以分为常磁阻（ordinary magnetoresistance, OMR）和异常磁阻（abnormal magnetoresistance, AMR）等不同类型，前者通常发生在非磁性金属和半导体中，而后者则主要出现在磁性金属中。
磁阻效应在多个领域具有实际应用价值，例如用于制造磁场传感器、磁阻随机存取存储器（MRAM）以及精密测量磁场等。通过测量磁阻效应，可以精确地探测和量化磁场的变化，从而应用于各种科学和工程领域。