二极管的压降是指 二极管在正向导通状态下，其两端（阳极与阴极之间）的电压降。当二极管加上正向电压时，会有一个电压损耗，这个损耗就是正向压降。这个压降的大小与多种因素有关，包括材料类型、工作电流和温度等。
硅二极管与锗二极管的压降
硅二极管：在室温下，硅二极管的正向导通压降通常在0.6V至0.7V之间，但通常近似为0.6V。这一值相对稳定，受温度影响会有轻微变化，但总体波动较小。
锗二极管：锗二极管的正向导通压降较低，通常在0.2V至0.3V之间，但通常近似为0.2V。
不同类型二极管的压降
肖特基二极管：肖特基二极管的正向压降最低，通常在0.2V到0.4V之间。它通过金属-半导体接触而非P-N结实现导电，这种结构使得电子能够更快速地流动，减少了能量损耗。
发光二极管（LED）：电压降范围为1.4-4伏。
压降的影响
二极管压降是二极管的一个重要参数，对于二极管的工作原理和应用有着重要的影响。在二极管导通时，其两端电压会有一定的差值，这个差值就是二极管压降。二极管压降的产生原因主要与半导体材料的能带结构有关。
总结：
二极管的压降是指其在正向导通状态下，阳极与阴极之间的电压降。这个参数对于电路设计的效率和稳定性至关重要，了解二极管的压降有助于选择合适的二极管以满足特定应用的需求。