蒸发镀膜是一种 通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面的技术。这种方法最早由M.法拉第于1857年提出，并已成为现代常用的镀膜技术之一。
在蒸发镀膜过程中，待镀工件（如金属、陶瓷、塑料等基片）置于坩埚前方，而蒸发物质（如金属、化合物等）则置于坩埚内或挂在热丝上作为蒸发源。系统抽至高真空后，加热坩埚使其中的物质蒸发，其原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面，形成薄膜。
蒸发镀膜设备结构包括电阻加热源、高频感应加热源和电子束加热源三种类型，分别适用于不同材料和蒸发温度的要求。通过精确控制蒸发源的温度、蒸发速率和基底的温度等参数，可以获得具有特定性能的薄膜。
蒸发镀膜与其他真空镀膜方法相比，具有较高的沉积速率，适用于镀制单质和不易热分解的化合物膜。此外，为沉积高纯单晶膜层，还可以采用分子束外延方法。
总之，蒸发镀膜是一种重要的物理气相沉积技术，广泛应用于光学、电子和装饰领域，具有操作简便、沉积速率高等优点，但在膜层均匀性和附着力方面仍有改进空间。