二次电子是指在 入射电子束作用下被轰击出来并离开样品表面的样品原子的核外电子。这些电子通常来源于样品原子外层的价电子，由于原子核和外层价电子之间的结合力较小，外层电子容易脱离原子核，从而使原子电离。二次电子的能量通常较低，一般不超过50eV，并且它们在离开样品表面时，通常在表层5~10nm深度范围内发射出来。
二次电子对样品的表面形貌非常敏感，因此它们能非常有效地显示样品的表面形貌。在扫描电子显微镜（SEM）中，二次电子成像被广泛应用于观察样品的表面形貌。二次电子发射系数与入射束的能量有关，因此在进行二次电子成像时，需要选择适当的加速电压。
此外，二次电子的产生还与其他因素有关，例如入射电子的能量、样品的化学组成和表面粗糙度等。这些因素会影响二次电子的产额和能量分布，从而影响成像的分辨率和对比度。