MOCVD（metal-Organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化学气相沉积设备）是一种用于 生长半导体材料的关键设备。它通过将金属有机化合物和气体载体一同送入沉积室，并通过热反应将其沉积在衬底上，以制备高质量的半导体薄膜材料。
MOCVD设备广泛应用于光电子、材料科学等领域，特别是在LED（发光二极管）芯片生产过程中，MOCVD技术是制造LED外延片的关键工艺技术之一。利用MOCVD技术，纳米层可以以极高的精度在晶圆表面沉积，每一层都具有可控的厚度，形成具有特定光学和电学特性的覆盖材料。
MOCVD设备的主要性能指标包括生长速率、均匀性和可靠性等。生长速率指的是在单位时间内生长的材料厚度，生长速率的高低直接影响到生长效率和生产能力。均匀性指的是在衬底表面上生长的材料的均匀性，均匀性好的设备可以生长出均匀的薄膜，避免出现厚度不均匀或者杂质的问题。
此外，MOCVD设备还可以用于制备其他类型的半导体材料，如功率器件等，是LED芯片生产过程中最为关键的设备，其工艺和技术极为复杂，也是LED芯片制造环节中最为昂贵的设备，占据LED外延芯片几乎一半的成本。